木公木白

淺談晶圓工藝的蝕刻溶液與濃度測量：

影響蝕刻速率的因素:1、溫度  2、化學濃度   3、被蝕刻薄膜的化學組成.

Matsuhaku 使用 PTFE 杯來支持蝕刻應用的各種蝕刻溶液。

硫酸比重與濃度的測試過程如下視頻:

https://youtu.be/vIgmcyIoS9U

蝕刻工藝有:

KOH蝕刻:

具有氫氧化鉀（KOH）的蝕刻矽晶片在矽中產生微觀結構。

蝕刻速率由蝕刻浴的溫度，氫氧化鉀（KOH）的濃度和​​晶體結構以及矽晶片中的任何雜質控制。

KOH蝕刻提供了低成本且可重複的蝕刻工藝，其快速蝕刻。

氫氟酸蝕刻:

由氫氟酸和緩沖劑如氟化銨組成主要用於蝕刻氮化矽或二氧化矽的薄膜.

氮化矽蝕刻:

氮化矽用作半導體製造中的掩模材料。它作為薄膜沉積在矽晶片上並用熱磷酸蝕刻。

食人魚蝕刻:

食人魚溶液由過氧化氫和硫酸的混合物組成，並用於在半導體製造過程的各個階段清潔矽晶片。

它通常由3份濃硫酸和1份30％過氧化氫組成。

銅，金和鋁蝕刻:

在矽晶片上開發的微電子器件必須使用金屬連接來傳導電信號。

用於此目的的金屬包括沉積在矽晶片上的鋁，銅或金。針對不同貴金屬必須使用不同的蝕刻劑溶液來蝕刻.

有關晶圓蝕刻工藝中選擇合適的測試儀的免費報價或諮詢，請透過電子郵件聯繫 Matsuhaku.

group.up@msa.hinet.net