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多晶矽制絨液：
在太陽能電池製備過程中，為提高其性能和效率，必須讓更多的太陽光進入晶體矽。
有效的辦法是在矽表面進行修飾, 使矽表面形成絨面結構（即矽表面均勻分佈著陷阱坑）,
有效的絨面結構可以使得入射光在矽片表面進行多次反射和折射，改變入射光在矽片中的前進方向。
一方面，延長了光程，從而使光有更多的機會進入到晶體矽中, 這就是多晶矽的陷光效應，增加了矽片對紅外光的吸收率；
另一方面，使得等多的光子在靠近PN結附近的區域被吸收產生載流子，這些光生載流子更容易被收集，因此增加了載流子的收集效率。
酸修飾多晶矽制絨液常見組分：
酸修飾多晶矽植絨液，一般由無機酸組成，其配方組成有氧化劑、絡合劑、輔助腐蝕劑等。通常選用HF/HNO3/H2O 系列溶液對多晶矽表面腐蝕，可在晶體矽表面獲得有一定分佈的陷阱坑，
但多晶矽表面腐蝕坑形貌及其分佈與制絨液配方、制絨的工藝參數密切相關；還因酸制絨過程速度比較快,
因此實現有效調控，使多晶矽表面陷阱坑分佈密度和陷阱坑的深度成為重點。
市面常見制絨液：
鹼性制絨液、酸性制絨液 、單晶矽制絨液、多晶矽制絨液、制絨添加劑
酸性制絨液檢測設備
鹼性制絨液檢測設備
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